CMP浆液过滤

化学机械平面化（CMP）是用于制造半导体工业晶圆的抛光工艺。由于运输/处理问题，干燥以及浆料分配系统内的相互作用，工具中的浆料被输送到晶圆表面可能含有大颗粒/附聚物（>1μ）。这些大颗粒可以在半导体晶片表面上形成缺陷（划痕）。

降低由颗粒引起缺陷的解决方案之一是使用浆液过滤。目前有两种浆料过滤的优选方法：1）循环或再循环过滤和2）使用（POU）过滤。循环或再循环过滤试图从浆液中除去大颗粒，因为浆液通过将浆液输送到工具的分配回路循环。对于这些应用，通常使用0.5至5微米的过滤器，建议1至3 GPM的流量。

POU过滤在浆料分配到抛光垫上的点处或附近捕获大的颗粒。POU应用的流速不应超过0.5至2.5 GPM。由于能够在低流速下使用亚微米过滤器，因此POU过滤优于环路过滤，这往往会减少过早堵塞过滤器的发生并允许<1.0μm颗粒的潜在过滤。POU浆料过滤已被证明有利于减少CMP工艺中的晶圆缺陷并提高产量。

传统上，POU过滤和循环过滤都使用了非折叠滤芯。这些圆柱形深层滤芯可能会在效率，污物容量（使用寿命），流速和压降方面出现局限性。相反，单层褶皱过滤器提供更好的性能，但是滤芯使用寿命比较短。

XZC建议将XL 系列过滤器作为CMP浆液过滤的较好选择。这些混合式打褶/深层过滤器结合了深层过滤器的较好特性（能够去除由于分级孔隙结构，稳定的介质配置而产生的一系列粒径）以及褶式过滤器的优点（高表面积可改善流速，降低压降和更长的在线时间） 

CMP浆液过滤的目的：

浆料应含有可控颗粒尺寸范围内的磨料组分，以获得用于光刻的非常平滑和正常的晶圆表面去除微粒和附聚物，同时留下磨料组分

客户目标：减少划痕，提高产量